삼성전자가 직접 투자한 ALD 소재 강자 ‘디엔에프’, HBM4 시대의 핵심 파트너로 부상

반도체 초미세 공정의 한계를 돌파하기 위한 ‘소재 전쟁’이 치열합니다. 그 중심에는 삼성전자가 직접 지분 투자를 단행하며 전략적 파트너십을 맺은 디엔에프(DNF)가 있습니다.

오늘은 삼성전자가 왜 디엔에프에 투자했는지, 그리고 ALD 기술이 HBM4와 차세대 D램 시장에서 어떤 역할을 하는지를 심층 분석해 보겠습니다.

1. 삼성전자의 전략적 선택: 왜 ‘디엔에프’였을까?

삼성전자는 2021년 디엔에프에 약 210억 원을 투자해 지분 7%를 확보하며 2대 주주로 올라섰습니다. 이는 단순한 재무 투자가 아닌, 핵심 소재의 ‘국산화’와 ‘공급망 안정화’라는 명확한 전략적 목적을 담고 있습니다.

일본 수출 규제 대응
2019년 일본의 소재 수출 규제 이후, 삼성전자는 해외 의존도를 낮추기 위해 독보적인 전구체(Precursor) 기술을 보유한 디엔에프를 전략 파트너로 낙점했습니다.
공동 R&D의 결실
디엔에프는 2005년부터 삼성전자와 함께 ALplis-3 등 차세대 전구체를 공동 개발해 왔으며, DPT 및 ACL 소재 국산화에 성공하며 기술적 신뢰를 쌓아왔습니다.

반도체 회로 선폭이 10nm 이하로 좁아지면서 기존의 CVD(화학 기상 증착) 방식은 한계에 직면했습니다. 이를 해결하기 위해 필수적으로 요구되는 기술이 바로 ALD(Atomic Layer Deposition)입니다.

디엔에프는 이 공정에서 가장 중요한 전구체 설계 및 합성 역량을 보유하고 있습니다. 특히 캐패시터의 전하 저장 용량을 결정하는 High-K(고유전율) 소재 분야에서 국내 최고 수준의 기술 경쟁력을 갖추고 있습니다.

디엔에프의 중장기 실적은 삼성전자의 차세대 메모리 로드맵과 완전히 궤를 같이합니다. 특히 HBM4(6세대 고대역폭 메모리)와 1c D램(10nm급 6세대)이 핵심 성장 동력입니다.

1c D램과 하프늄(HfO₂) 전환
삼성전자는 1c D램 공정에서 기존 지르코늄(ZrO₂) 대신 유전 상수가 더 높은 하프늄 기반 소재 비중을 확대할 계획입니다. 디엔에프는 하프늄 전구체 국산화를 주도하고 있어 직접적인 수혜가 기대됩니다.
HBM4 양산 가속화
HBM4에는 1c D램 공정이 적용되며, EUV 레이어 증가 → ALD 공정 횟수 증가 → 소재 사용량 급증이라는 구조적 수혜가 발생합니다.
평택 4공장(P4) 증설
삼성전자의 P4 공장 1c D램 라인 증설에 따라, 2025년 하반기부터 디엔에프 실적의 본격적인 턴어라운드가 기대되고 있습니다.

디엔에프의 주가는 이미 긴 조정을 마치고 추세 전환 신호를 보여주고 있습니다.

V자 반등 흐름
2024년 말 최저가(7,470원) 형성 이후 125% 이상 급등하며 중기 상승 추세에 진입했습니다.
솔브레인 그룹 편입 효과
2023년 솔브레인 그룹 편입 이후 재무 안정성과 글로벌 영업 네트워크 시너지가 기대됩니다. 삼성전자가 인수 과정에서도 지분을 유지했다는 점은 디엔에프의 전략적 가치가 여전함을 보여줍니다.
신규 모멘텀: 건식 PR(Dry PR)
EUV 공정의 고질적 문제인 패턴 붕괴를 해결할 건식 PR 전구체를 개발 중이며, 현재 양산성 평가가 진행되고 있습니다. 이는 향후 주가 재평가의 강력한 촉매가 될 수 있습니다.

디엔에프는 삼성전자의 초미세 공정 로드맵에서 단순한 협력사를 넘어 ‘소재의 심장’과 같은 존재입니다.

메모리 업황 회복, AI 반도체 수요 폭발, 그리고 HBM4 양산이라는 구조적 변화 속에서 디엔에프의 기술력은 실적으로 증명될 준비를 마쳤습니다.

삼성전자의 P4 공장 가동과 HBM4 일정에 주목하며, 긴 호흡의 관점에서 지켜볼 가치가 충분한 기업입니다.

※ 본 포스트는 공개된 연구 자료와 시장 컨센서스를 바탕으로 작성되었습니다.
투자에 대한 최종 결정은 투자자 본인의 판단과 책임 하에 이루어져야 합니다.